三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)

三星首款14納米DRAM

三星首款14納米DRAM

“通過(guò)開(kāi)拓關(guān)鍵的圖案（key patterning）技術(shù)，三星活躍全球DRAM市場(chǎng)近三十年。”三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通過(guò)多層EUV技術(shù)，樹(shù)立了一座新的技術(shù)里程碑，實(shí)現了更加微型化的14納米工藝，而這也是傳統氟化氬（ArF）工藝無(wú)法做到的。在此基礎上，三星將繼續提供極具差異化的內存解決方案，充分滿(mǎn)足5G、人工智能和元宇宙等數據驅動(dòng)的時(shí)代對更高性能和更大容量的需求。”

隨著(zhù)DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍，EUV技術(shù)變得越來(lái)越重要，因為它能提升圖案準確性，從而獲得更高性能和更大產(chǎn)量。通過(guò)在14納米DRAM中應用5個(gè)EUV層，三星實(shí)現了自身最高的單位容量，同時(shí)，整體晶圓生產(chǎn)率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。

根據最新DDR5標準，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產(chǎn)品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計劃擴展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業(yè)服務(wù)器應用。另外，三星預計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿(mǎn)足全球IT系統快速增長(cháng)的數據需求。

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